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Galliumarsenid (GaAs) ist ein direkter Halbleiter mit einer Bandlücke von Eg = eV. (T = K). Die Struktur des Valenzbandes ist ähnlich der von Silizium. vektors. → nichtstrahlende Übergänge. EG. EG. Leitungsband- unterkante. Valenzband- oberkante direkter Halbleiter indirekter Halbleiter. Energie. Energie. EC. Als Bandlücke (engl. band gap), auch Bandabstand bzw. verbotene Zone genannt, wird der energetische Abstand zwischen Valenzband und Leitungsband.

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